尽管硅有半导体的特性，目前90%以上的电子元件采用了硅材料。但对于CPU而言，性能不断在提升，晶体管的体积不断缩小，硅被加工得越来越薄，在主流65纳米（nm）CPU中，硅栅介质的厚度被缩小至1.2纳米，这已经达到了极限。如果厚度继续缩小，晶体管的漏电量逐步增加，导致电流浪费，高功耗CPU是大家不愿意看到的。特别是对于锑星超理研究所的超弦计算机来说，使用传统硅半导体CPU将使散热要求越来越严重。
在全体锑星研究所成员的努力下，新一代昭砖半导体芯片问世了。
[“昭砖”是什么？]
在熔化的金属昭中放入“砖”制成合金，昭会与砖化合，而形成纯净物，故不能称“合金”，但可用于超理界半导体的研究
2Zh+3Zt=熔化=Zh2Zt3
[“昭砖”的特点]
昭砖半导体芯片中昭砖栅介质厚度仅为1个银原子的直径0.0003微米，昭砖半导体在应用时不会产生晶体管漏电现象，使用昭砖材料半导体可以节约能源，降低发热量，而且能安排更多的晶体管，增强运算性能。
昭砖半导体芯片内部采用“砖化鎷”超导材料连接各种晶体管，这可以减少由于采用普通导体连接因导体电阻造成的电能损失以及产生过多发热量。对于CPU，最忌讳的要数电子迁移，电子迁移是指电子的流动所导致的金属原子的迁移现象。在电流强度很高的导体上(如CPU)，电子的流动会带给电路上的金属原子附加的动量，使得金属原子脱离金属表面四处流动，结果就导致金属导线表面上形成坑洞或土丘，造成永久的损害。这是一个缓慢的过程，一旦发生，情况会越来越严重，到最后就会造成整个电路的短路，CPU就报废了。
而昭砖半导体芯片使用稳定性极高的“砖化鎷”超导材料，在现行条件下可以确保不产生电子迁移，昭砖半导体芯片由于其零迁移特性使得其可以突破现行CPU的5nm（MS地球上还没有这样的cpu）极限。
[“昭砖”的研究成果]
第一块昭砖半导体CPU由全体锑星超理研究院制造的“赵明毅1号”，其为3nm工艺制造，主频为250GHz，而TDP仅为15W，而且不用散热风扇，这种cpu应用在超理研究超弦计算机上可以大幅度提高运算分析速度，以方便超理研究。
[“昭砖”的研究花絮]
在昭砖半导体CPU研究制造成功并将锑星CPU工艺纪录由5nm提升为3nm后，王存臻伯湿来到地球进行推广，发现地球上的Intel公司正研究制造45nm工艺技术，不由得无语。
[ 本帖最后由 小昭 于 2008-8-19 15:54 编辑 ]
